Onsemi stellt interaktives Web-Tool zur Vereinfachung des Power-Designs vor

Diese Woche bei PCIM, Onsemi eingeführt sein neues Elite Pairing Studio, ein Online-Designtool, das darauf zugeschnitten ist, die Paarung von Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs und Gate-Treibern zu vereinfachen. Das Tool konzentriert sich auf anspruchsvolle Leistungselektronikanwendungen – wie KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeuge und Industriesysteme – und geht über die herkömmliche Auswahl auf Komponentenebene hinaus, um Ingenieuren frühzeitig Einblick in das Verhalten und die Kompromisse auf Geräteebene zu geben.

Das Elite Pairing Studio von Onsemi ist ein Online-Designtool, das darauf zugeschnitten ist, die Paarung von Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs und Gate-Treibern zu vereinfachen.

Leistungselektronikarchitekturen werden immer komplexer. Daher ist die richtige Abstimmung von Gate-Treibern und Schaltgeräten entscheidend für die Erzielung optimaler Effizienz, die Minimierung von Verlusten und die Gewährleistung sicherer Betriebstemperaturen. Dieser Prozess erfordert in der Regel zeitaufwändige manuelle Auswertungen, umfangreiche Datenblattvergleiche, Tabellenkalkulationsanalysen und empirische Tests.

Der Elite Pairing Studio vereinfacht diese technische Herausforderung, indem es Benutzer durch einen intuitiven Arbeitsablauf führt, um schnell gut passende Komponentenkombinationen basierend auf spezifischen Systemanforderungen zu identifizieren.

Automatisierter Workflow und datengesteuerte Auswahl

Die cloudbasierte Umgebung bietet einen privaten, sicheren Arbeitsbereich auf Onsemi.com, in dem Ingenieure eine breite Palette von Gate-Treiberkombinationen neben einem ausgewählten SiC-MOSFET analysieren können. Die Plattform bewertet Optionen automatisch mithilfe einer transparenten Bewertungslogik, die auf etablierten Branchengleichungen und realen Leistungsberechnungen basiert.

Während des Simulationsschritts generiert das Elite Pairing Studio mithilfe der physikbasierten SPICE-Modelle von Onsemi detaillierte Schaltwellenformen für die ausgewählte MOSFET- und Gate-Treiber-Kombination. (Zum Vergrößern auf das Bild klicken).

Anstatt unterschiedliche Dokumentationen manuell mit Querverweisen zu versehen, können Designer eine klare, überprüfbare Logik nutzen, um gut aufeinander abgestimmte Paarungen zu bewerten. Diese Voraboptimierung ermöglicht es Ingenieurteams, Energiearchitekturen zu verfeinern und fundiertere Entscheidungen zu Beginn des Entwicklungszyklus zu treffen, wodurch das Designrisiko erheblich reduziert, die Zeit bis zur Markteinführung verkürzt und nachgelagerte Iterationen reduziert werden.

Physikbasierte Simulation und Wellenformanalyse

Ein Hauptvorteil des Elite Pairing Studio ist seine Fähigkeit, interaktive, personalisierte Simulationen unter realistischen Betriebsbedingungen zu erstellen. Die Umgebung bietet Ingenieuren einen umfassenden Einblick in das Timing, das Wellenformverhalten und die genauen Kompromisse hinter jeder empfohlenen Paarung.

Elite Pairing Studio konsolidiert die Simulationsergebnisse, um einen klaren Vergleich der Leistung jedes Gate-Treibers mit dem ausgewählten SiC-MOSFET zu ermöglichen. (Zum Vergrößern auf das Bild klicken).

Über einen integrierten interaktiven Wellenform-Viewer können Designer wichtige Leistungsmerkmale für jede bewertete Paarung überprüfen. Dazu gehören:

• Schaltzeiten: Ingenieure erhalten klare Einblicke in die genauen Timing-Parameter während der Geräteaktivierung und -deaktivierung.
• Wellenformverhalten: Der Viewer zeigt detaillierte Wellenformen der Gate-Spannung und des Gate-Stroms (V/I) an, um Ãœbergangszustände zu bewerten.
• Spannungsüberschwingungsgrenzen: Benutzer können die Spannungsüberschreitungsmargen im Verhältnis zu den maximalen Gerätenennwerten überprüfen, um Sicherheits- und Zuverlässigkeitsmargen zu überprüfen.
• Schaltenergieverluste: Das Tool berechnet spezifische Ein- und Ausschaltenergieverluste, um die Effizienz zu optimieren.

Diese datengesteuerten Erkenntnisse geben Ingenieuren frühzeitig Einblick in Faktoren, die das Verhalten elektromagnetischer Interferenzen (EMI) und die Zuverlässigkeitsmargen beeinflussen, bevor sie die Entwürfe zur vollständigen Analyse auf Systemebene weiterleiten.

Nahtlose Integration in die Analyse auf Systemebene

Das Elite Pairing Studio fungiert als „Eingangstür“ zu Onsemis breiterem Angebot an Simulations- und Designtools. Sobald eine optimale Gerätepaarung hergestellt ist, generiert das Studio PLECS-Simulationsmodelle auf Systemebene.

Diese Paarungserkenntnisse können direkt in den Onsemi Elite Power Simulator übertragen werden, um die Effizienz, das thermische Verhalten und die Verlustleistung auf Systemebene zu optimieren. Dieser nahtlose Entwicklungspfad optimiert die Umsetzung der Komponentenauswahl im Frühstadium in eine verbesserte Systemeffizienz für die Elektrifizierungsinfrastruktur der nächsten Generation, Industriesysteme und KI-Rechenzentren.

Verfügbarkeit und Zukunftsaussichten

Das Elite Pairing Studio ist ab sofort über die Onsemi-Website verfügbar. Das Unternehmen wird die interaktive Designplattform diese Woche auch am Onsemi-Stand (Halle 9-332) während der PCIM Expo 2026 in Nürnberg vorführen. Während sich die erste Markteinführung auf SiC-MOSFETs und Gate-Treiber konzentriert, plant Onsemi, die Fähigkeiten des Studios in Zukunft durch die Hinzufügung weiterer Technologien zu erweitern.

Alle verwendeten Bilder mit freundlicher Genehmigung von Onsemi.